طراحی تقویت کننده های توان یکپارچه cmos با توان قابل تنظیم برای سیستم های فراخوان دو طرفه
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تهران
- نویسنده علیرضا خیرخواهی
- استاد راهنما مهدی فخرایی
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1378
چکیده
این پایان نامه به بررسی روند طراحی تقویت کننده های توان کنترل پذیر برای کاربرد در سیستم های فراخوان دو طرفه اختصاص دارد. سه فصل اول این پایان نامه (تا صفحه 49) به گردآوری مطالب اختصاص دارد و کار اصلی نگارنده از فصل چهارم شروع می شود. تلاش شده است که بلوک های طراحی شده قابلیت مجتمع شدن با بقیه بلوک های فرستنده - گیرنده را در تکنولوژی cmos دارا باشند. در این کار روش الگوریتمی جدیدی بنام spice-smith chart برای طراحی بهینه تقویت کننده های توان معرفی می شود و اثبات می گردد که این روش در عین حفظ دقت از سرعت کافی برخوردار است . در ادامه یک تقویت کننده ی توان تمام دیفرانسیلی با راندمان بالا در کلاس e با استفاده از این روش و در تکنولوژی cmos-0/8um طراحی می شود. این تقویت کننده توان خروجی کنترل پذیر در بازه 20-30dbm با پله های 2/5db دارد و شبیه سازی های انجام شده بیشینه راندمان آن را برابر 55 درصد نشان می دهند (برای شبیه سازی های از مدل bsimv3 مربوط به یک پروسس cmos-0.8 صنعتی استفاده شده است). مدار طراحی شده از سلف های سیم اتصال استفاده می کند و تکنیک مداری mode-locking نیز برای افزایش بهره طبقه درایور بکار گرفته شده است . راندمان بالای تقویت کننده طراحی شده آن را برای کاربردهای با مدولاسیون fsk که از باتری استفاده می کنند مناسب می سازد. کنترل توان خروجی با تغییر منبع تغذیه بصورت دیجیتالی انجام می شود. منبع تغذیه سوییچینگ ولتاژ پایین با راندمان بالایی که از مدولاسیون دتا استفاده می کند برای انجام این عمل طراحی شده است . قابلیت برنامه پذیری منبع تغذیه توسط یک آرایه برنامه پذیر خازنی تامین می شود. منبع تغذیه دارای ولتاژ خروجی کنترل پذیر در بازه 1.2-2.5v است و راندمان آن در این بازه تقریبا ثابت و برابر 80 درصد می باشد. در آخر دو تقویت کننده توان برای کاربرد در یک تراشه فراخوان دو طرفه با قابلیت کاربرد در استانداردهای چندگانه طراحی می شوند. این تراشه می تواند در دو استاندارد reflex و ermes کار کند و تغییر بین دو استاندارد توسط بلوک های کنترل تطبیقی انجام می شود.
منابع مشابه
طراحی تقویت کننده کلاس-D ولتاژ بالا با بازخورد توان برای بارهای پیزوالکتریک
در این مقاله یک تقویتکنندۀ کلاس-D به منظور راهاندازی بارهای پیزوالکتریک با در نظر گرفتن ملاحظات طراحی شامل بازده، خطی بودن و تداخل الکترومغناطیسی ارائه شده است. تقویت کننده کلاس-D با الگوی کلیدزنی مدولاسیون پهنای باند بر پایۀ تغذیه-باتری طراحی شده است. تقویتکننده ارائه شده علاوه بر تأمین توان و ولتاژ سطح بالا، به منظور جداسازی و کاهش اعوجاج از یک مبدل مستقیم-به-مستقیم جدای حلقه بسته بهره می...
متن کاملطراحی تقویت کننده توان پربازده برای فرستنده های کم توان
چکیده: این پایان¬نامه، تقویت کننده توان کلاس e کاملاً یکپارچه، دارای توان خروجی کم و با بازدهی بالا در فرکانس 2.4 ghz و تکنولوژی tsmc 0.18-μm cmos را پیشنهاد می¬دهد که مناسب فرستنده¬های کم¬توان مانند شبکه حسگر بی¬سیم است. در طراحی این تقویت کننده توان، خازن پد و سلف باندینگ-وایر گره خروجی را، به عنوان قسمتی از شبکه خروجی در نظر گرفته¬ایم که در برقراری شرط zvs و تطبیق امپدانس مقاومت 50 اهم آنتن ...
15 صفحه اولتقویت کننده سیگنال های عصبی با نویز و توان کم و پهنای باند قابل تنظیم
در این پایان نامه، یک تقویت کننده سیگنال های عصبی با نویز و توان مصرفی کم که قابلیت تنظیم فرکانس قطع بالا و پایین پاسخ فرکانسی ac را در گوشه های مختلف پروسه دارا می باشد، طراحی شده است. این تقویت کننده می بایست کمترین توان مصرفی را در بین موارد مشابه دارا باشد؛ از این رو مدار را در ناحیه زیرآستانه بایاس می کنیم. محدوده فرکانسی سیگنال های عصبی 0.5-100hz است؛بنابراین تقویت کننده، از نوع فرکانس پا...
15 صفحه اولطراحی کنترل کننده زمان محدود برای سیستم های لیپ شیتز یک طرفه تأخیری
در این مقاله سیستمهای دینامیکی با توابع غیرخطی لیپ شیتز یک طرفه در حضور تأخیر زمانی و ترم های نامعلوم ناشی از عدم قطعیتهای مدل و اغتشاشات خارجی مورد مطالعه قرار میگیرند. شرط لیپ شیتز یک طرفه نسبت به شرط متداول و مرسوم لیپ شیتز محافظه کاری کمتری داشته و دسته وسیع تری از توابع غیر خطی را شامل می شود. هدف از این مقاله، طراحی کنترل کننده فیدبک حالت برای سیستم مذکور است به نحوی که پایداری مقاوم ...
متن کاملطراحی تقویت کننده توان دوبانده همزمان با سوئیچ فعال در 9/0/2/4 گیگاهرتز در پروسه 0.18μmrf cmos
چکیده: در این مقاله، تقویت کننده توان دوبانده با توان خروجی بالا در پروسه استاندارد 0.18μm cmos برای کدخوان rfid ارائه شده است. تقویت کننده توان در دو باند فرکانسی ghz9/0 و ghz4/2 به طور همزمان کار می کند. برای رسیدن به قابلیت خط سانی و توان خروجی بالا از ترکیب کردن چندین تقویت کننده کلاس ab استفاده شده است. تقویت کننده توان پیشنهادی شامل چهار بخش پیش تقویت کننده، تقویت کننده تـوان اصلی...
متن کاملطراحی رجیستر فایل توان- پایین در فناوری 90 نانومتر CMOS
عمده توان مصرفی در رجیستر فایلهای سریع مربوط به مسیرهای خواندن است که با استفاده از مدارهای دینامیکی پیاده سازی میشوند. از اینرو، یک تکنیک مداری جدید در این مقاله پیشنهاد میشود که بدون کاهش چشمگیر سرعت و مصونیت در برابر نویز، توان مصرفی رجیستر فایلها را کاهش میدهد. در مدار دینامیکی پیشنهادی، شبکه پایینکش به چند شبکه کوچکتر تقسیم میشود تا عملکرد مدار افزایش یابد. همچنین شبکه های پایینکش...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تهران
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023